英飞凌新品 | 采用ThinTOLL 8x8封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ产品

Jul . 2025

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第二代CoolSiC™ MOSFET 650V G2分立器件产品线现扩充ThinTOLL 8x8封装的26mΩ和33mΩ型号，将导通电阻(RDS(on))的覆盖范围扩展至20mΩ到60mΩ，提供更精细的选型梯度。

ThinTOLL封装是标准8x8尺寸下发挥CoolSiC™ G2芯片性能的最佳方案。该封装技术突破了8x8尺寸的热循环极限，并通过优化.XT互连结构显著降低热阻，在保持8x8mm超小尺寸的同时，充分发挥了碳化硅材料的性能优势，实现了功率密度的革命性突破。

■ IMTA65R026M2H

■ IMTA65R033M2H

■ 卓越的品质因数（FOMs）

■ 同类最优导通电阻（RDS(on)）

■ 高可靠性、高品质

■ 灵活的驱动电压范围

■ 支持单极驱动（VGS(off)=0）

■ 先进的.XT扩散焊封装互连技术

■ 全系列8x8封装FET引脚兼容

■ 热循环可靠性TCoB提升4倍

■ BOM成本优化

■ 单位成本最优系统性能

■ 最高可靠性，延长使用寿命

■ 顶尖能效与功率密度

■ 紧凑尺寸，更高功率密度

■ 高度集成的子卡设计

■ 智能电视系统解决方案

■ 暖通空调

■ 家用电器

■ 微型逆变器解决方案

■ 电能转换

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