英飞凌新品 | 650V CoolMOS™ 8超结 (SJ) MOSFET

Jul . 2025

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英飞凌推出全新650V CoolMOS™ 8引领全球高压超结SJ MOSFET技术，为行业技术和性价比树立了全球标准。该系列为高功率应用提供了额外的50V电压裕量，有助于满足数据中心和电信应用中交流输入电压提升至277V的要求。此外，它还能为电动汽车充电和固态断路器（SSCB）应用提供额外的浪涌保护。我们的650V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET集成了快速体二极管，使其适用于各种高功率应用场景，是CoolMOS™ 7 MOSFET（包括C7和CFD7系列）的升级换代的最佳选择。

产品型号

■ IPDQ65R008CM8

■ IPDQ65R018CM8

■ IPT65R018CM8

■ IPT65R025CM8

■ IPT65R040CM8

■ IPW65R018CM8

■ IPW65R025CM8

■ IPW65R040CM8

■ IPW65R060CM8

■ IPZA65R018CM8

■ IPZA65R025CM8

■ IPZA65R040CM

产品特点

■ 业界领先的RDS(on)*A

■ 集成快速体二极管

■ 出色的换向耐用性

■ 先进的互连技术

■ 完整产品组合含8mΩ BiC

■ 顶部散热封装设计

竞争优势

■ 业界领先的RDS(on)*A

■ Qrr反向恢复电荷性能显著提升

■ trr反向恢复时间较同类产品缩短35%

■ 采用QDPAK等顶部散热封装技术

■ 卓越的品质

■ 增强型宽禁带（WBG）半导体解决方案

■ QDPAK封装8mΩ系列产品

应用价值

■ 低振铃特性

■ 简化设计、缩短开发周期

■ 产品线清晰完善

■ 系统级创新

应用领域

■ 数据中心

■ 电信设备

■ 超固态解决方案（继电器/断路器）

■ 电动汽车充电

■ 不间断电源UPS

■ 工业SMPS

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文章来源：英飞凌工业半导体

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