4月12日，由车百会研究院主办的2026智能电动汽车发展高层论坛在北京举行。英飞凌科技高级副总裁，汽车业务大中华区负责人曹彦飞应邀出席国际论坛发表演讲，并在会上宣布，自2025年3月公布“与中国汽车产业同频共振”本土化战略以来，英飞凌依托“本土产品定义、本土生产、本土生态圈”三大支柱稳步落地，已在多个关键领域取得实质性进展与重要里程碑，正加速将规划转化为行动，赋能中国汽车产业电动化与智能化转型升级。作为全球领先的车用半导体供应商，英飞凌连续六年蝉联全球车用半导体市场份额第一，并持续巩固其在中国汽车半导体市场排名第一的行业地位。

车规级MCU：2025年，英飞凌在MCU领域持续扩大领先优势，市场份额上升至36%。2027年将通过与本土晶圆厂与封测厂合作，实现40纳米技术的AURIX™ TC3x系列产品前后道本土化生产

·技术领先的产品：AURIX™ TC3x满足中国市场对高性能、高安全性车规级MCU的迫切需求，提供覆盖功能安全与信息安全的可扩展产品系列，具备强大的连接性与计算能力。

·生态协同：联合系统方案合作伙伴（PDH）、AUTOSAR及信息安全软件供应商，结合6家MCU大中华区培训中心，全方位赋能客户加速创新。

构建安全体系基石：AURIX™ TC397XP成为首个通过汽车芯片信息安全产品测试认证（安全等级二级）的车规级MCU产品，不仅巩固了技术领先地位，更为整车企业的合规安全体系提供了关键支撑。

·MCU产品全系列覆盖：通过本土合作，前道与后道生产规划覆盖从PSoC™、TRAVEO™ II到AURIX™ TC4x/TC3x的完整产品组合，强化供应链韧性, 满足客户产能需求。

传感器：2027年通过本土合作，实现28纳米技术的车用雷达传感器前后道本土化生产

·深度聚焦中国市场应用需求，通过架构创新实现系统级成本优化，显著降低雷达模块的系统功耗和硬件尺寸，进一步增强系统竞争力。

功率器件：40V MOSFET本土化量产提前至2026年

·为应对中国汽车市场对低压功率半导体持续增长的需求，英飞凌将40V MOSFET SSO8的本土化量产时间从原计划的2027年提前至2026年。

·本土生产的MOSFET通过优化开关损耗与封装兼容，助力客户提升系统性能与效率，实现从需求到产品的闭环创新。

无锡基地：后道封装能力持续升级

英飞凌无锡工厂保持高效运营，持续为中国市场提供业界领先的产品稳定性与质量保障：

·已实现量产：40V-100V双通道MOSFET（Dual SSO8）产品已率先在无锡实现规模化量产，为本土客户提供稳定、可靠的供应链保障。

·即将投产：计划于2026年实现用于模拟混合信号产品的DSO封装技术的规模化投产，进一步完善本土化产品组合。