
英飞凌荣获“年度优秀功率器件产品奖”
8月26日上午,2025年度半导体市场创新表现奖在elexcon展会期间揭晓获奖名单。英飞凌凭借第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V分立器件以及1200V Easy C系列碳化硅模块,以其卓越的产品性能和创新的技术设计,荣获 “年度优秀功率器件产品奖”,其专为下一代边缘AI与控制而打造的微控制器PSOC™ Edge荣获“年度优秀AI芯片奖”。
英飞凌荣获“年度优秀功率器件产品奖”
8月26日上午,2025年度半导体市场创新表现奖在elexcon展会期间揭晓获奖名单。英飞凌凭借第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V分立器件以及1200V Easy C系列碳化硅模块,以其卓越的产品性能和创新的技术设计,荣获 “年度优秀功率器件产品奖”,其专为下一代边缘AI与控制而打造的微控制器PSOC™ Edge荣获“年度优秀AI芯片奖”。
英飞凌荣获“年度优秀AI芯片奖”
该奖项由elexcon展会主办方联合行业权威媒体电子发烧友网等电子工程师媒体共同举办,旨在表彰在双线技术创新及供应链服务中表现卓越的企业。这一荣誉再次彰显了英飞凌在推动电力电子技术发展中的重要作用,进一步巩固了公司在行业中的领先地位。英飞凌工业与基础设施业务大中华区市场总监王丹,消费、计算与通讯业务高级产品经理黄熘代表公司出席了颁奖典礼并领奖。
1400V CoolSiC™ MOSFET G2系列的TO - 247以及 TO - 247 Plus Reflow封装
面对高母线电压应用进行了优化设计,能够轻松适应母线电压大于1000V的场景,该系列产品的功率管脚加粗至2mm,使得器件能够承受更大的电流,背板回流焊的设计,提升了产品的可靠性,为高压电力电子系统提供了可靠的解决方案。
1200V CoolSiC™ MOSFET G2 Easy C系列碳化硅模块
最新推出的CoolSiC™ MOSFET G2 Easy C系列1200V碳化硅模块全新封装,在业内首次发布就引起广泛关注。该产品集多项创新技术于一身。在芯片技术上,凭借先进的G2芯片技术,实现了RDS(on)*A降低25%、输出功率提高约30%,效率更是达到行业顶尖水准。
PSOC™ Edge微控制器
PSOC™ Edge是专为下一代边缘AI与控制而打造的边缘AI 微控制器,其显著特点是具备硬件的机器学习(ML)加速功能。这一全新的微控制器系列,通过降低人机交互的难度,并为终端应用增添情境感知能力,让终端产品变得更加智能且易于直观操作,进而为终端用户带来更卓越的体验。与此同时,借助嵌入式Edge Protect技术,该系列产品还能提供强大的隐私与安全保护。
PSOC™ Edge 器件基于采用多域架构设计,以实现高性能与精细化功耗优化的双重目标。高性能的 Arm® Cortex®-M55 拥有400Mhz的算力,加上 Helium™ DSP 提供支持指令集强化运算能力,并搭配128MACs算力的Arm® Ethos™-U55的NPU,可以显著提升机器学习任务的执行效率;在低功耗场景下,200Mhz主频的Cortex®-M33 则与英飞凌的超低功耗 NNLite 神经网络加速器协同工作。专为“始终在线”的边缘人工智能应用场景而优化,可在极低能耗状态下实现持续传感与实时响应。PSOC Edge系列同时具备2.5D GPU图形加速器,让终端产品可以轻易获得智能手机般的人机交互界面,大大提升用户体验感。
这种异构架构在不同应用中通过动态分配算力,在维持系统高性能输出的同时,有效优化整体能效表现,为智能终端设备在复杂人机交互与实时决策场景下的长期稳定运行提供技术保障,例如在运动手表,AI眼镜,便携录音设备上等等,PSOC edge系列都能让终端产品赋能AI,在竞争激烈的市场中脱颖而出。
英飞凌汽车业务大中华区高级现场应用工程师赵苏晋(右) 出席颁奖仪式
在elexcon展会上,经汽车电子业内人士及媒体共同评选后,英飞凌汽车业务荣获“汽车电子应用先锋奖”。英飞凌多款汽车级MCU以高性能架构和ASIL-D功能安全认证,赋能辅助驾驶、智能座舱及IGBT功率半导体,提升电动汽车效率,助力绿色出行未来。英飞凌汽车电子产品覆盖50+主流车企,与国内主流车厂开展深度合作,MCU市场份额稳居全球第一。通过完善的工具链与本土化战略,英飞凌推动软件定义汽车与智能化转型,成为汽车电子行业当之无愧的先锋。
文章来源:英飞凌官微
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