May . 2026
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近日，英飞凌科技与思格新能源（上海）股份有限公司正式宣布深化合作，双方将基于英飞凌最新一代1200V CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，共同为思格新能源户用光伏储能逆变器解决方案提供核心性能支撑，以技术创新驱动户用光储领域能效升级。
在全球户用光储市场，高能效与高可靠性始终是衡量系统性能的核心标准。思格新能源凭借前瞻性技术布局，通过深度集成英飞凌新一代 1200V CoolSiC™ MOSFET G2 碳化硅解决方案，将户用光伏储能逆变器效率提升0.6%，体积缩小15%，达到业界领先水平，为家庭用户创造更高发电收益与更灵活的安装空间。采用英飞凌.XT扩散焊技术，显著提升散热效率，为户用光储系统长期稳定运行提供了强有力的支撑。从全球首创的“五合一光储充一体机”到不断迭代的高效能储能系统，思格新能源始终以创新驱动行业升级。此次与英飞凌深化合作——将业内领先的碳化硅技术融入思格户用光储逆变器解决方案，将助力思格户用光储逆变器实现性能与体验的双重飞跃，进一步巩固其在光储行业的领先地位。
新一代1200V CoolSiC™ MOSFET G2
思格户用混合逆变器与储能系统
英飞凌推出的新一代1200V CoolSiC™ MOSFET G2一经面世，便凭借其卓越的性能引起业界广泛关注。相较于前代技术，G2系列通过创新设计实现了三大核心优势：
·能效跃升——开关损耗降低25%，配合总功率损耗降低10%的优化幅度，推动系统效率进一步提升。热
·管理升级——采用的增强型.XT扩散焊技术，散热效率显著提升，确保器件在高温工况下仍能保持稳定性能。
·可靠性增强——通过沟槽栅的设计和严苛的生产管控，栅极开启阈值电压VGS(th)参数分布更集中，结合传输特性负温度系数设计，多器件并联的易用性与可靠性获得双重提升。
此外，英飞凌同步推出采用高爬电距离TO-247-4封装的1400V CoolSiC™ MOSFET系列产品，进一步拓展了光伏逆变器、充电桩、工业电机驱动等高压场景的应用可能性。
“作为全球功率半导体行业的领导者，英飞凌在碳化硅（SiC）技术领域已深耕二十余年，构建了从材料特性、芯片设计、制造到封装测试工艺的全链路能力，为客户提供覆盖全场景的高性能SiC功率解决方案。通过持续创新，英飞凌SiC功率器件在性能、可靠性及能效等核心指标上始终保持行业领先地位。思格作为全球储能行业中发展最快的企业之一，在多个海外市场中位居分布式储能系统市场份额第一。其对技术创新以及产品可靠性不懈追求，与英飞凌所秉承的创新驱动、可靠性至上的理念高度契合。双方强强联合，不仅为SiC器件开辟了更多光储创新应用的新天地，更为全球能源结构的转型升级注入了动力。”
“自成立以来，思格始终专注于“AI+新能源”领域的技术创新，坚持以产品质量为核心，以用户体验为导向，在设计、选材到测试的每一个环节都秉持最严标准。我们深知，卓越的系统性能离不开可靠的核心器件。英飞凌在碳化硅功率器件领域深厚的研发积累与持续创新能力，与思格对高能效、高可靠产品的追求高度契合。未来，思格将继续携手英飞凌，不断深化合作，共同打造更高效、更安全、更可持续的能源解决方案，推动光储产业向零碳未来加速迈进。”
思格新能源（上海）股份有限公司是一家聚焦新能源储能领域的科技创新公司，依托全球顶尖的数字智能技术与差异化的创新人才实力，深耕光伏发电、智慧储能、高效EV充电领域，致力于提供“极简部署、极致安全、极佳体验”的光储充产品与智慧能源解决方案。
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英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约57,000名员工（截至2025年9月底），在2025财年（截至9月30日）的营收约为147亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的OTCQX国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。
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文章来源：英飞凌工业半导体