英飞凌TOLL和DFN封装CoolGaN™ 650V G5第五代氮化镓功率晶体管

Jun . 2025

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第五代CoolGaN™ 650V G5氮化镓功率晶体管可在高频工况下显著提升能效，符合业界最高质量标准，助力打造兼具超高效率与卓越可靠性的设计方案。该系列产品现已新增采用底部冷却技术的TOLL和DFN封装，其创新设计可降低各类工业及消费电子应用中的功率损耗。

产品型号：

■ IGT65R025D2ATMA1

■ IGT65R035D2ATMA1

■ IGT65R045D2ATMA1

■ IGT65R055D2ATMA1

■ IGT65R140D2ATMA1

■ IGLD65R055D2AUMA1

■ IGLD65R080D2AUMA1

■ IGLD65R110D2AUMA1

■ IGLD65R140D2AUMA1

■ 650V增强型功率晶体管

■ 超快开关速度

■ 无反向恢复电荷

■ 支持反向导通

■ 低栅极电荷与低输出电荷

■ 卓越的换向鲁棒性

■ 动态导通电阻（RDS(on)）极低

■ 高ESD防护能力：2kV人体放电模型（HBM）-1kV元件充电模型（CDM）

■ 底部散热封装

■ 通过JEDEC认证（JESD47/JESD22标准）

■ 支持高频工作模式

■ 实现系统最高能效

■ 赋能超高功率密度设计

■ 降低BOM成本

■ 电信基础设施AC-DC电源转换

■ 计算和数据存储

■ 电动汽车充电系统

■ 工业电源

■ 光伏

■ 变流器

■ USB-C转换器与充电器

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