英飞凌推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓（GaN）开关——650V CoolGaN™ G5双向开关（BDS）。该产品采用共漏极设计和双栅极结构，是一款使用英飞凌强大栅极注入晶体管（GIT）技术和CoolGaN™技术的单片双向开关，能够有效替代转换器中常用的传统背靠背开关。

这款CoolGaN™双向开关能够为功率转换系统带来多项关键优势。它通过将两个开关集成到一个器件中，简化了循环转换器拓扑结构的设计，实现了单级功率转换，无需多个转换级。这一设计不仅提高了效率和可靠性，而且更加紧凑。基于BDS的微型逆变器还能提高功率密度，减少元件数量，从而简化制造过程并降低成本。此外，该产品还支持先进的电网功能，如无功功率补偿和双向操作等。

因此，该解决方案在多个应用领域拥有巨大潜力，包括：

1.微型逆变器

这款CoolGaN™双向开关使微型逆变器的设计变得更加简单、高效，从而减小了尺寸，降低了成本，令微型逆变器更加适用于住宅和商业太阳能装置。

2.储能系统（ESS）

这款开关可在电池充放电等ESS应用中提高能量存储和释放的效率和可靠性。

3.电动汽车（EV）充电

这款BDS开关可提高电动汽车充电系统的充电速度和效率，同时还可实现汽车到电网（V2G）功能，使汽车电池中存储的能量能够返回到电网中。

4.电机控制

CoolGaN™ BDS非常适用于工业电机驱动器的电流源逆变器（CSI）。与传统电压源逆变器（VSI）相比，CSI具有以下优点：

·产生正弦输出电压，从而支持更长的电缆敷设路径、降低损耗和提高容错能力。

·使用电感器取代直流链路电容器，增强高温性能和短路保护能力。

·部分负载下效率更高，电磁干扰更低，固有的升降压能力可应对电压变化，并且可扩展至并联运行。

这些特性使CSI成为更加稳健、高效的工业电机应用控制方案。

5.AI数据中心

在AI服务器电源中，CoolGaN™ 等双向开关可支持维也纳整流器和 H4 PFC等架构的更高开关频率和功率密度。一个CoolGaN™ BDS 可取代两个传统开关，从而减少元件数量、控制成本、缩小尺寸和降低总体功率损耗。

供货情况

650 V CoolGaN™ G5双向开关（BDS）和110 mΩ 产品样品现已开放订购。了解更多信息，请点击这里。

英飞凌推出新型CoolSET™封装系统（SiP）。这款紧凑的全集成式系统功率控制器可在85-305 VAC通用输入电压范围内提供最高60 W高效功率输出。系统中的高压 MOSFET采用小型SMD封装，拥有低RDS(ON)且无需外部散热器，从而缩小了系统尺寸并降低了复杂性。CoolSET™ SiP支持零电压开关（ZVS）反激式操作，在实现低开关损耗和低EMI特性的同时，提高系统可靠性和稳健性。这使其成为大型家用电器和AI服务器等应用的理想解决方案。此外，这款控制器使开发者更容易满足严格的能源标准，帮助他们设计开发出与时俱进的最新功率解决方案。

CoolSET™ SiP集成了一个950V高压启动单元、一个800V高耐压超级结MOSFET、一个ZVS初级反激式控制器、一个次级侧同步整流（SR）控制器，以及通过英飞凌专有技术CT Link实现的强化隔离通信。这一高度集成化的设计显著减少了分立器件的数量、降低了材料成本，并极大减少了所需的PCB空间，为开发更复杂的终端产品提供了支持。其综合全面的先进保护功能简化了系统集成，帮助设计人员更加灵活地优化解决方案，提升整体用户体验。

供货情况

现在可以订购英飞凌CoolMOS™封装系统（SiP）产品样品。了解更多信息，请点击这里。

文章来源：英飞凌官微