英飞凌最新推出的600 V CoolMOS™ 8产品引领着高压超结MOSFET 技术的发展方向，在全球范围内树立了技术与性价比的新标准。该技术在提高系统整体性能的同时，在减少多种应用的碳排放方面也发挥了关键作用，应用领域涵盖充电器和适配器、太阳能系统和储能系统、电动汽车充电基础设施以及不间断电源（UPS）等。

600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET专为提高效率和可靠性设计，完美契合光宝科技和英飞凌致力于提高服务器应用性能和总体拥有成本的承诺。此外，凭借.XT互连技术这一主要的特色功能，新一代CoolMOS™ 8产品已成为传统服务器和AI服务器的理想选择。这项先进的互连技术拥有业界领先的散热能力，并通过减少寄生电感和电阻提高了电气性能。与之前的MOSFET型号相比，CoolMOS™ 8 SJ MOSFET的栅极电荷降低了18%，拥有更快的关断时间，热性能提高了14%~42%。

"CoolMOS™ 8 SJ MOSFET拥有领先的功率密度和效率，这对高性能服务器应用非常重要。CoolMOS™ 8产品系列提供的一体化解决方案简化了我们的产品组合，不仅使客户选型流程更轻松，同时减少了设计导入工作量。"

——Richard Kuncic

英飞凌科技电源系统负责人

“光宝科技很高兴在新一代服务器设计中采用英飞凌CoolMOS™ 8系列产品。600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET拥有出色的效率和可靠性，符合我们为客户提供前沿技术和高能效解决方案的承诺。”

——张坤松

光宝科技云端基础设施系统与平台战略业务群 总经理

600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列是一种“全集成MOSFET”技术，可满足工业和消费应用的需要。由于集成了快速体二极管，该系列适用于目标市场的各种主要拓扑结构，并且通过实现极具性价比的硅基解决方案增强了英飞凌的高压宽禁带（WBG）产品组合。该系列MOSFET采用SMD-QDPAK、TOLL和ThinTOLL-8x8封装。

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文章来源：英飞凌官微