英飞凌最新的OptiMOS™ 6功率MOSFET系列采用尖端的沟槽工艺，显著改善了开关/传导损耗和电流能力。这些改进转化为更低的系统损耗，从而提高了功率密度、板温度和整个系统的可靠性，实现了高水平的系统效率。适用于包括开关模式电源（SMPS）、可再生能源、OR-ing电路、电机驱动、LEV和电池供电等应用领域。

该系列有多种包装可供选择，以满足您的设计要求，包括PQFN 3.3x3.3、sTOLL、SuperSO8、TOLL和TOLT。

英飞凌拥有五大竞争优势：产品组合的完整、功率 MOSFET 产能最大、价值链完整、优异品控 (平均缺陷率为 0.03 DPM，优于业界水平)，以及适合应用的系统性方法。英飞凌也是市场上少有的同时提供硅（Si）、宽禁带、碳化硅（SiC）以及氮化镓（GaN）半导体产品的企业。

OptiMOS™系列经过多年的发展，现在已经进化到了第六代。这个系列的产品能保证极佳的能效和功率密度，可以提供卓越的高频率开关性能和低导通损耗，为市场制定新的行业标准。

采用最新沟槽 MOSFET 技术的OptiMOS™ 6系列具有两大特性：第一是极低的导通电阻，第二是卓越的开关性能。这两大特性让OptiMOS™ 6 MOSFET能简化散热的设计，减少需要并联的元器件数量，提升功率密度，降低维护的成本，以及让产品的寿命得以延长。

OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 尤其适用于高频率开关应用，是电信和太阳能等应用的理想选择。由于导通电阻RDS(on) 和品质因数改进，也适用于电池供电的应用，例如电动工具、低速汽车、无人机、机器人以及电池管理应用。