今年3月， 英飞凌推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件， 全面开启碳化硅2000V的时代。 最新的2000V CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。 作为英飞凌的创新产品，其在直流母线电压表现抢眼，能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。
英飞凌IPAC“CoolSiC™碳化硅直播季”去年一经上线，备受好评！
5月14日 14：00，今年的碳化硅季正式回归，
首期话题将为您揭开CoolSiC™ MOSFET 2000V的神秘面纱：
- 增强型M1H CoolSiC™ MOSFET技术带来哪些产品优势？
- 2000V CoolSiC™ 碳化硅分立器件和模块产品各有什么特点？
- 如何应对2000V CoolSiC™ MOSFET的驱动挑战？
- 2000V CoolSiC™ MOSFET在应用设计时需要关注哪些设计难点？
锁定碳化硅季未来几期，更多福利/惊喜将在直播间呈现：
CoolSiC™ MOSFET 2000V产品评估板首次公开发布售卖，
栅极驱动器重点知识讲解，储能方面的应用……
