无论是MOSFET还是IGBT，都是受门极控制的器件。在相同电流的条件下，一般门极电压用得越高，导通损耗越小。因为门极电压越高意味着沟道反型层强度越强，由门极电压而产生的沟道阻抗越小，流过相同电流的压降就越低。不过器件导通损耗除了受这个门极沟道影响外，还和芯片的厚度有很大的关系，一般越薄的导通损耗越小，所以同等芯片面积下宽禁带的器件导通损耗要小得多。而相同材料下耐压越高的器件就会越厚，导通损耗就会变大。这种由芯片厚度引起的导通损耗不受门极电压影响，所以器件耐压越高，门极电压即使进一步增大对导通损耗贡献是有限的。

我们从器件的规格书中很容易得到这个结论，如图1的a、b分别是一个IGBT器件IKW40N120CS7的输出特性曲线。在相同的IC电流下，门极电压越高，对应的输出线越陡，VCE饱和压降越小。但是门极电压大于15V后，即使门极电压再升高，VCE饱和压降变小得不多了。所以IGBT选用15V驱动是一个不错的选择。

SiC MOSFET的导通损耗表现相类似，如图2所示为IMW120R030M1H的输出特性。相比于图1的横坐标，图2的电压跨度更大，也就是说SiC MOSFET适合门极电压更高（比如18V），导通损耗更小，获益更大。但是考虑门极氧化层的可靠性，使用电压一般不会超过20V，英飞凌1200V的SiC MOSFET建议使用电压为18V。

综合以上两者特性来说，1200V的IGBT一般在15V以后，变化不明显，而1200V的SiC MOSFET则变化大，如图3。这主要是因为对于1200V等级的SiC MOSFET来说，沟道电阻所占比重较大，而减小沟道电阻的有效手段就是提高门极电压。

另外，门极的正压对降低开关损耗也是有帮助的。因为开通的过程相当于一个对门极电容充电的过程，初始电压越大，充电越快，一般来说开通损耗越小。而关断损耗则受门极负压影响，几乎不受门极正电压影响。我们利用了双脉冲平台进行开关波形的测试。图4是SiC MOSFET的开关损耗在不同门极电压和不同IC电流下的表现。图5是IGBT的开通损耗。而由于SiC MOSFET的开关损耗绝对值比IGBT要小得多，所以从开关损耗降低的比例来看，SiC MOSFET效果更明显。

凡事有得有失，虽然门极电压高对导通损耗和开通损耗都好，但是会牺牲短路性能。下式为MOSFET短路电流的理论公式，IGBT短路行为与MOSFET类似。式中μn为电子的迁移速率，Cox为单位面积栅氧化层电容，W/L为氧化层宽长比，Vgs为驱动正电压，Vth为门极阈值电压。从式中可以看出，门极正电压越大，电流会明显上升。

比如IGBT在门极电压15V下有10μs的短路能力，但在门极16V时，短路能力会下降到7μs不到，如图6。对SiC MOSFET而言，相同电流的芯片面积小得多，且可能工作在更高的母线电压导致短路瞬态能量更大，如果门极电压超过15V，甚至会失去短路耐受能力。