中国上海，2025年11月11日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。
RS7P200BM采用小型DFN5060-8S（5060尺寸）封装，与ROHM在2025年5月发售的DFN8080-8S（8.0mm×8.0mm尺寸）封装AI服务器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比，可实现更高密度的安装。
新产品在VDS=48V工作条件下，可确保脉冲宽度10ms时7.5A、1ms时25A的宽SOA范围，同时，还实现了与之存在权衡关系的低导通电阻（RDS(on)）*3 4.0mΩ（条件：VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃）。通过抑制通电时的发热，有助于提高服务器电源的效率并减轻冷却负荷，进而进一步降低电力成本。
新产品已于2025年9月开始量产（样品价格800日元/个，不含税）。
未来，ROHM将持续扩充适用于AI服务器等所用的48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为进一步节能和构建可持续的ICT基础设施贡献力量。
