·英飞凌展示业界首款基于300 mm碳化硅晶圆制造的功能性功率器件

·该技术突破彰显了英飞凌在功率半导体和宽禁带技术领域的创新实力与领导地位

·300 mm碳化硅工艺的可行性为面向汽车、可再生能源、工业及AI数据中心应用的客户提供安全可靠、面向未来的碳化硅供应奠定了基础

·英飞凌将于2026年11月10日在慕尼黑开幕的electronica展会上，首次向公众展示首片完成加工的300 mm碳化硅晶圆

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司在奥地利菲拉赫工厂成功将300 mm碳化硅晶圆加工成功能性功率器件。英飞凌是全球首家在大规模半导体晶圆厂环境中实现这一创新里程碑的企业。该成果利用现有硅制造设备得以实现。此次率先成功制造出功能性功率器件，体现了英飞凌对于为客户提供全面高性能碳化硅（SiC）功率半导体产品组合，并确保长期稳定供应的重视。相较于200 mm晶圆，300 mm晶圆的芯片生产技术更先进，生产效率也大幅提升，得益于更大的晶圆直径，单片晶圆的芯片生产数量可达200 mm晶圆的2.3倍。

这一里程碑展现了未来在300 mm晶圆上实现碳化硅全面规模化生产的潜力。英飞凌将与客户及合作伙伴紧密协作，规划300 mm碳化硅的技术路线与产能爬坡节奏，同时持续推进现有200 mm碳化硅制造路线图。先进的碳化硅功率技术能兼具成本效益和稳定供货，满足英飞凌客户在汽车、可再生能源、工业以及AI数据中心等领域的应用需求。

碳化硅是实现高效电能转换的关键半导体材料。凭借其优异的材料特性，碳化硅可实现更低的功率损耗、更高的功率密度，并可在高电压和高温环境下高效运行，广泛应用于牵引逆变器、车载充电器、电动汽车充电桩、大型储能系统、工业传动装置以及不间断电源等领域。AI数据中心领域对碳化硅的需求也在不断增长，其应用正进一步拓展至固态变压器、固态断路器与供电单元等领域。英飞凌凭借其广泛的CoolSiC™产品组合，可满足上述应用需求。

与此同时，英飞凌还在其德国德累斯顿工厂成功验证了冷切割（Cold Split）技术用于300 mm碳化硅晶圆的可行性。相较于传统线锯切割（Wire Sawing）工艺，冷切割技术可从碳化硅晶锭分离出晶圆，不仅能减少材料损耗、还可大幅缩短加工时间，从而以更低的资本支出从同一晶锭中获取更多晶圆。这两项技术进展使英飞凌能够根据市场需求扩大碳化硅生产规模，满足客户不断变化的需求。

英飞凌采用全部三种半导体相关材料，即硅、碳化硅和氮化镓，生产半导体产品。2026年10月27日，英飞凌宣布投资约11亿欧元，在菲拉赫建设一座采用300 mm晶圆技术生产氮化镓（GaN）功率半导体的大规模量产基地。此次在碳化硅领域取得的成果，将这一模式拓展至第二种宽禁带材料，并进一步巩固了英飞凌作为半导体制造领域创新领导者的地位。