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Oct . 2025

体积更小且支持大功率!ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

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中国上海,2025年10月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比,其散热性提升约39%,虽然体型小且薄,却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。


与以往封装产品相比,新产品的体积更小更薄,器件面积削减了约26%,厚度减半,仅为2.3mm。另外,很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V,而ROHM新产品则达到750V。因此,即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻,从而有助于降低开关损耗。


产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品,并已于2025年9月开始量产(样品价格:5,500日元/个,不含税)。另外,ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型,助力客户快速推进电路设计。

<开发背景>

在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中,功率呈日益提高的趋势,同时,与之相矛盾的小型化需求也与日俱增,这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源,其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求,ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。

<产品阵容>

<应用示例>

・工业设备:AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)

・消费电子:一般电源

<术语解说>

*1) 图腾柱型PFC电路

一种高效率的功率因数校正电路方式,通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET,可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。

・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

<关于“EcoSiC™”品牌>

EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系,已经确立了SiC领域先进企业的地位。

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