CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC™技术的输出电流能力强，可靠性提高。

产品型号：

▪️ IMYH200R012M1H

▪️ IMYH200R024M1H

▪️ IMYH200R050M1H

▪️ IMYH200R075M1H

▪️ IMYH200R0100M1H

• VDSS=2000V，可用于最高母线电压为1500VDC系统
  
• 开关损耗极低
• 创新的HCC封装
• 针脚间爬电距离为14毫米
• 5.4毫米电气间隙
• 栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
• 用于硬换流的坚固体二极管
• .XT互联技术可实现同类最佳的散热性能
• 高耐湿性

• 市场上首款分立式碳化硅MOSFET器件，阻断电压高达2000V
• 1500V的DC的变流器可以用两电平实现
• 与1700V SiC MOSFET相比，1500 VDC系统具有足够的过压裕量
• 创新的TO-247封装，具有高爬电距离和间隙

• 光伏逆变器
  
• 储能系统
• 电动汽车充电

文章来源：英飞凌工业半导体