Aug . 2026
分享至
CoolSiC™ MOSFET 750V G2为下一代设计带来了卓越的效率、可靠性与功率密度。凭借增强的鲁棒性、超低的开关损耗以及优化的电容特性，支持更高的工作频率和更紧凑的系统设计，非常适合电动汽车充电、光伏发电、AI服务器以及对性能要求极为苛刻的工业电源应用。
产品型号：
■ IMBG75R007M2H
■IMBG75R011M2H
■IMBG75R016M2H
■IMBG75R020M2H
■IMBG75R025M2H
■IMBG75R033M2H
■IMBG75R040M2H
■IMBG75R050M2H
■IMBG75R060M2H
■IMDQ75R011M2H
■IMDQ75R020M2H
■IMDQ75R033M2H
■IMDQ75R040M2H
■IMDQ75R050M2H
■IMZA75R007M2H
■IMZA75R011M2H
■IMZA75R016M2H
■IMZA75R020M2H
■IMZA75R025M2H
■IMZA75R033M2H
■IMZA75R040M2H
■IMZA75R050M2H
■IMZA75R060M2H
·应用示例：车载充电器（OBC）：PFC级与DC-DC级
■ 100%通过雪崩测试
■ 业界领先的RDS(on) × Qfr
■ 优异的RDS(on)× Qoss与RDS(on) × QG
■ 独特的低Crss/Ciss比值与高VGS(th)阈值电压
■ 采用.XT改进型扩散焊技术
■ 提供驱动源极引脚
■ 增强的鲁棒性与可靠性
■ 硬开关工况下具有卓越效率
■ 支持更高开关频率
■ 有效抵御寄生导通效应
■ 业界领先的散热性能
■ 降低开关损耗
■ 100%通过雪崩测试
■ 扩展的负栅极驱动电压范围（-7 V至-11 V）
■ 增强的热性能（最高可达200°C）
■ 相比上一代产品，优值系数FOM提升20%-35%
■ 高VGS(th) + 低Crss/Ciss可实现0V关断
■ 通过JEDEC认证的顶部散热封装，支持更高功率密度
■ 固态继电器与隔离器
■ 固态断路器（SSCB）
■ 电动汽车充电桩
■ 光伏发电
■ 不间断电源（UPS）
■ 储能系统
■ 电池化成设备
■ 电信基础设施中的AC-DC电源转换
■ 服务器电源单元（PSU）
■ 高低压DC-DC变换器
■ 车载充电器
■ 断路器（高压电池断开开关、交直流低频开关、高压电子保险丝）
👇扫描下方二维码
获取更多产品相关信息~
文章来源：英飞凌工业半导体