05

Aug . 2026

实现AI数据中心供电极致效率,1200V SiC MOSFET G2样品免费申请中

分享至

随着英伟达GPU迭代加速,其功耗持续攀升,加之AI计算节点高密度部署的趋势,AI数据中心的电力需求已达到数百兆瓦级别。目前,多家超大规模数据中心运营商已公布了相关建设规划。


为满足兆瓦级供电需求,800V乃至更高电压的直流配电系统正成为AI供电的主流选择,而固态变压器(SST)正式这套架构中的核心,它替代了传统“工频变压器+低压配电柜+UPS+HVDC换流器”的变压方案,直接将10-35kV电网电压转换为800VDC直流低压,大幅缩短了供电链路,将整机效率提升至98%以上,占地面积减少50%以上,此外,SST毫秒级的动态响应能力,完美解决了大型GPU集群负载剧烈波动所引起的电力供应与电网稳定性问题,而碳化硅器件凭借其高耐压特性,突破了传统硅器件在高压高频下的性能瓶颈,成为固态变压器(SST)设计的关键元件。


AIDC区别于传统数据中心的核心在于其极高的功率密度,英飞凌12 kW高功率密度、高频服务器电源(PSU)参考设计显示,采用碳化硅设计可实现PSU 113 W/in³的超高功率密度,是行业标准(如OCP ORv3规范的 48 W/in³)的两倍以上,在230V交流输入、50Hz电网频率的典型工作条件下,该12 kW PSU可实现高达97.8%的峰值效率,并且,在40%-100%负载范围内,功率因数 (PF) > 0.995,远超OCP标准,能有效提升电网电能质量


在AIDC的服务器电源(PSU)、模块化UPS等核心部件中,Q-DPAK顶部散热封装正成为新一代碳化硅单管的主流选择,英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200V G2系列产品采用先进的Q-DPAK顶部冷却封装,针对高功率密度与高温运行场景优化设计,我们现推出IMCQ120R017M2H与IMCQ120R034M2H两款器件免费样品试用活动,诚邀工程师、研发团队及行业小伙伴们亲身体验!

为什么选择QDPAK封装?

Q-DPAK顶部散热封装技术旨在帮助设计师简化制造流程并提高功率密度,其核心理念在于将器件的电气连接(在底部)与热界面(在顶部)分离开来,从而巧妙结合了两种传统封装方式的优点,它既保留了SMT技术所带来的全自动制造效率,又能实现媲美媲美甚至超越标准TO-247封装的热性能,通过器件顶部的专用散热面直接连接高效散热器,热量得以快速耗散,从而显著降低器件结温,提升系统可靠性。


Q-DPAK顶部散热设计支持更优化的PCB布局,这不仅减少了寄生参数和杂散电感的影响,从而降低了开关损耗和导通损耗,还允许在标准PCB的两面布置元器件,使得整体系统设计更加紧凑和简易。结合其卓越的散热能力,设计师能够在更小的空间内处理更大的功率,最终实现更高的功率密度。

产品速览:

CoolSiC™ 1200 V G2 in Q-DPAK:在提升效率的同时,实现更高性能、更紧凑的设计

产品特点

·SMD顶部散热封装

·杂散电感低

·CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技术具备优化的开关性能和FOM

·.XT扩散焊

·最低RDS(on)

·封装材料CTI>600, CD>4.8mm

·优异的耐湿性能

·雪崩保护、短路保护和寄生导通PTO保护

应用价值

·更高功率密度

·支持自动化组装

·简化设计

·优异的热性能表现

·降低系统损耗

·支持950V RMS工作电压

·卓越的可靠性

·降低TCO成本和BOM成本

扫码获取产品数据手册:

IMCQ120R017M2H

IMCQ120R034M2H

Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本,开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。


文章来源:英飞凌官微

半导体组件问询单
如对本公司产品有任何问题(产品报价、技术咨询、产品文件、样品索取、合作代理等),都可通过咨询表单和我们联络,将有专人回复。
隐私权暨个人资料保护声明

STEP

01
!

有标示 必填栏位,请确实填写,谢谢

咨询需求
市场应用

咨询商品

备注内容

下一步,联系资料填写

STEP

02
!

有标示 必填栏位,请确实填写,谢谢

公司名称
所属部门
联络人
职称
联络电话
邮箱
联络地址
交货地址
是否为贸易商
验证码
订阅电子报
!

有标示 * 必填栏位,请确实填写,谢谢。

公司名称
所属部门
姓名
职称
联系电话
选择电子报语言
邮箱
验证码