IHV 4500 V、1200 A、130 mm单开关IGBT模块，采用IGBT4沟槽场截止技术，是高压直流输电（HVDC）、静止同步补偿器（Statcom）及工业应用的理想选择。
产品型号：
■ FZ1200R45HL4_B8
13
Jul . 2026
新品 | 采用 IHV B 封装的4500 V/ 1200 A IGBT模块：FZ1200R45HL4_B8
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产品框图
产品特性
■ 低饱和压降VCE(sat)
■ AlSiC基板
■ 存储温度低至 -40°C
■ 封装材料 CTI> 600
应用价值
■ 实现紧凑型逆变器设计
■ 低功率损耗
■ 标准化外壳结构
■ 长使用寿命
竞争优势
■ 高性能
■ 低损耗
■ 高可靠性
应用领域
■ 高压直流输电（HVDC）
■ 静止同步补偿器（Statcom）
■ 驱动系统
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文章来源：英飞凌工业半导体