英飞凌第二代SiC MOSFET性能解析及设计要点

Mar . 2026

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在新能源革命与工业数字化的浪潮中，功率半导体作为核心“能量管家”，直接决定着电力转换系统的效率、密度与可靠性。英飞凌作为全球功率器件的领军者，凭借其深耕碳化硅（SiC）领域的技术积淀，推出了CoolSiC™ MOSFET G2系列产品，以全方位的性能突破，重新定义了SiC MOSFET的行业标准，为光伏、储能、电动汽车充电等关键领域注入强劲动力。

相比于G1单管器件仅有650V/1200V两档电压等级，G2系列电压等级更加全面，涵盖400V/650V/750V/1200V/1400V，以及丰富多样的封装形式，包括顶部散热QDPAK、可回流焊TO-247等，以适应AIDC、光储、充电等不同应用领域的需求。G2的导通电阻档位划分更加细腻，例中1200V电压等级单管导通电阻最低可达7mΩ，且提供4mΩ至350mΩ的宽范围产品组合，精准匹配不同功率场景需求。

1、芯片创新技术推动极致器件性能演进

·CoolSiC™ G2具有卓越的动态及静态性能，这源于英飞凌在芯片结构与封装技术上的双重创新。其采用独特的非对称沟槽栅结构，通过特殊晶面优化实现了极低的界面态密度和氧化层陷阱，最大化提升沟道载流子迁移率，为导通电阻的降低奠定了核心基础。在此基础上，G2进一步缩小元胞尺寸，优化纵向结构及掺杂形貌，最终实现了业界领先的单位面积导通电阻（Rdson*A）。

英飞凌深知不断优化器件性能的同时，取得鲁棒性、可靠性、易用性上的全面升级才是碳化硅技术创新的方向。碳化硅MOSFET的栅氧化层早期失效一直是制约其可靠性的重要因素。CoolSiC™ G2独特的非对称沟槽栅结构，使其能够采用相比平面型器件更厚的栅氧化层，因此能使用更高的筛选电压，既能进行更高效的筛查，又能保证不损坏质量合格的器件，最终出厂的SiC器件与Si器件有类似的失效率。基于已出售的G1 SiC MOSFET数据积累，CoolSiC™每百万个器件中的缺陷数量甚至低于Si器件。

·CoolSiC™ G2通过优化寄生电容，在四大核心优值系数（FOM）上实现全面突破：Rdson*Qg（驱动损耗）、Rdson*QGD（硬开关损耗）、Rdson*Eoss（轻载损耗）、Rdson*QOSS（软开关损耗）均达到SiC市场顶尖水平。因此G2能够实现超过同类产品的极低器件损耗。

·G2支持过载运行时200℃最大结温，比G1的最高允许结温提升了25℃，有利于过载工况下系统的安全运行。充分利用这一特性，可在以下应用场景中实现输出功率显著提升：UPS中的短路工况，光伏逆变器的低电压穿越，以及充电桩中电网波动引起的高脉冲电流。

·我们基于半桥电路硬开关的电路拓扑，对G2及竞争对手进行实际损耗和温升测试。半桥工电路作于buck模式，低边管使用同步整流进行续流。

测试结果可以看出G2具有最高的效果99.11%，以及全功率范围内的最低的结温。这是源于G2极低开关损耗与.XT封装工艺带来的极低热阻，在高开关频率应用中具有显著优势，例如组串式光伏逆变器、充电桩有源前端、混合逆变器等应用领域。

2、极致可靠性设计，适配严苛场景

在追求高性能的同时，英飞凌从未放弃对可靠性和寿命的极致追求。

·G2规格书中保证2μs的短路耐受时间。搭配精心调制的退饱和电路，可确保器件在短路故障发生后2μs内快速关断，避免故障扩大，大幅提升系统运行稳定性。

·针对并联应用中的电流不均问题，G2具有较低的栅极阈值电压（VGS(th)）离散性，结合导通电阻正温度系数，增强了并联操作的可靠性与易用性，无需复杂的均流电路设计即可实现多器件稳定并联。

·G2产品更具备高电压阈值（典型值4.5V）和超低QGD/QGS比，显著提升抗寄生导通（PTO）能力。

·G2具有强大的抗雪崩能力，数据手册中对于连续雪崩耐量和单次雪崩耐量都作出了保证

3、封装技术创新，适配多种应用场景

·G2产品全线使用.XT高性能互联技术，使用低温扩散焊代替传统的软钎焊，消除了传统焊料层，使得器件结壳热阻相比G1最多降低30%，允许11%额外输出电流提升，或10℃的结温降低，或约50%的开关频率提升。

·全新高爬电距离的TO-247-4 HC封装，与传统TO-247-4兼容，漏极到源极爬电提高到9mm，管脚到散热器爬电距离提升到5mm，更适合高电压场景应用

·大电流管脚可回流焊的TO247封装增强管脚出流能力。该封装目前应用于1400V器件，功率源极与漏极管脚拓宽到2mm，相对传统TO247，可提升约18%的电流输出能力。该封装支持背板回流焊，可将器件直接焊接于绝缘DCB板上，再将DCB板与散热器焊接。与传统涂敷导热硅脂的方式相比，最多可降低50%的热阻。

·表贴顶部散热封装QDPAK：相对于传统表贴产品只能从底部进行散热的方式，顶部散热器件分离了电气路径和热流路径，尤其适合在高功率密度的应用，如AI服务器电源和车载充电器等应用。易于安装，支持多器件并联自动化生产

4、CoolSiC™ G2 MOSFET设计要点

·推荐驱动电压范围：CoolSiC™ G2推荐开通电压Vgs=18V。20V的驱动电压虽然能进一步降低导通损耗，但是失效率也会急剧上升。18V是平衡损耗与可靠性的最优选择。关断电压建议采用-5V静态负偏压，这是因为负电压可明显降低器件的关断损耗Eoff，而且可有效抑制米勒电容耦合引发的寄生导通（PTO），尤其适配高频硬开关拓扑。零伏关断虽可简化设计，但需确认系统抗干扰能力，避免噪声导致误开通。

·采用尽可能低的驱动电阻：G2具有极低的开关损耗，为发挥这一特性，保证震荡及电压应力不超标的条件下，尽可能使用最低的驱动电阻。

·采用尽可能小的死区时间：因为宽禁带材料的原因，SiC MOSFET体二极管正向导通压降较大，约为4V。因此，我们应尽可能采用同步整流，即在续流时仍打开MOS的栅极，使得续流时的电流走MOS沟道，而MOS沟道压降远小于体二极管压降，这样会大大降低续流时的导通损耗。由于使用了同步整流，电流仅在死区时流过体二极管。二极管是双极型器件，二极管开通后，双极性等离子体需要一定时间才能建立(几百ns或更长)，CoolSiC™ G2体二极管的动态性能强烈依赖于死区时间，较短的死区时间可减少二极管存储电荷，从而减少Eon和Erec ,并且减轻surge电流和震荡。为了获得SiC MOSFET最佳开关性能，建议的死区时间小于300ns。以IMBG120R012M2H为例，在300ns时，MOSFET的开通损耗Eon和二极管的关断损耗Erec分别降低到700ns或更长时间损耗的90%和70%。

英飞凌CoolSiC™ MOSFET G2延续了其独有的非对称沟槽栅结构设计，通过进一步缩小元胞尺寸，实现了单位面积电阻的显著降低，核心优值指标全面达到业界领先水平。在极致性能的研发路径上，英飞凌始终将可靠性与鲁棒性置于同等重要的位置。新一代G2系列不仅覆盖了更丰富的电压与电流等级，更提供多样化的封装形式，大幅拓宽了SiC MOSFET的应用边界，助力系统实现系统效率与功率密度的双重提升。

文章来源：英飞凌工业半导体

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