CoolSiC™ 1200V MOSFET（顶部散热Q-DPAK单管封装）专为工业应用设计，适用于电动汽车充电、光伏、不间断电源（UPS）、固态断路器（SSCB）、工业驱动、人工智能（AI）及网联自动驾驶汽车（CAV）等领域。
Q-DPAK封装通过简化组装流程并保持卓越的散热性能，帮助客户降低系统成本。与底部散热方案相比，顶部散热器件可实现更优化的PCB布局，从而降低寄生元件和杂散电感的影响，同时提供增强的热管理性能。
11
Aug . 2025
新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封装分立器件产品扩展
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产品型号
■ IMCQ120R007M2H
■ IMCQ120R010M2H
■ IMCQ120R017M2H
产品特点
■ SMD顶部散热封装
■ 低杂散电感设计
■ 采用CoolSiC™ MOSFET 1200V第二代技术，具备增强的开关性能和FOM系数
■ .XT扩散焊
■ 模塑化合物（CTI＞600）及模塑槽（CD＞4.8mm）
■ 优异的耐湿性能
■ 具备雪崩鲁棒性、短路耐受能力及功率循环可靠性
应用价值
■ 更高功率密度
■ 支持自动化组装
■ 简化设计复杂度
■ 卓越的热性能表现
■ 降低系统功率损耗
■ 支持950V RMS工作电压
■ 高可靠性设计
■ 降低总体成本
竞争优势
■ 更高的功率密度
■ 相比BSC封装显著提升热性能
■ 简化电气设计流程
应用领域
■ 光伏
■ 电动汽车充电
■ 不间断电源UPS
■ 固态断路器
■ AI
■ 工业驱动
■ CAV
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文章来源：英飞凌工业半导体