Jul . 2025
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第二代750V CoolSiC™ MOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术，在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。该器件在图腾柱、有源中性点钳位（ANPC）、维也纳整流器和飞跨电容（FCC）等硬开关拓扑中表现卓越。更值得注意的是，第二代产品显著降低了输出电容（Coss），使其在循环变流器、CLLC、双有源桥（DAB）和LLC等软开关拓扑中能实现更高频率的开关操作。
第二代CoolSiC™ MOSFET 750V完美适用于对可靠性、功率密度和效率有严格要求的应用，包括：车载充电机、DC-DC变换器、DC-AC逆变器，以及人工智能服务器、光伏逆变器和电动汽车充电设备。其采用的Q-DPAK封装既能充分发挥碳化硅固有的高速开关特性，同时确保约20W的功率耗散能力。
■ AIMDQ75R016M2H
■ AIMDQ75R025M2H
■ AIMDQ75R060M2H
■ IMDQ75R004M2H
■ IMDQ75R007M2H
■ IMDQ75R016M2H
■ IMDQ75R025M2H
■ IMDQ75R060M2H
■ 100%雪崩测试验证
■ 业界领先的RDS(on) × Qfr
■ 优异的RDS(on) × Qoss和RDS(on) × QG表现
■ 低Crss/Ciss和高VGS(th)
■ 采用.XT扩散焊
■ 配备驱动源极引脚
■ 鲁棒性和可靠性提升
■ 硬开关效率卓越
■ 开关频率更高
■ 抗寄生导通能力出色
■ 行业领先的散热性能
■ 开关损耗显著降低
■ 通过100%雪崩测试，专为汽车与工业应用设计
■ 扩展负栅极驱动电压范围（-7V至-11V）
■ 增强型热性能(高达200℃)
■ FOM较上一代产品提升20-35%
■ 高VGS(th) + low Crss/Ciss=0V零伏可靠关断
■ 增强型热性能(高达200℃)
■ 工业应用场景
■ 汽车电子应用
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文章来源：英飞凌工业半导体