1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块现已上市。由于采用了M1H芯片技术，模块在VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口方面性能得到了改善。现可提供2.9mΩ 1200V新规格，带或不带热界面材料(TIM)。

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1200V 62mm半桥模块 预涂TIM

• 集成体二极管，优化了热阻
  
• 卓越的栅极氧化层可靠性
• 抗宇宙射线能力强

• 按照应用苛刻条件优化
  
• 更低的电压过冲
• 导通损耗最小
• 高速开关，损耗极低
• 对称模块设计实现对称的上下桥臂开关行为
• 标准模块封装技术确保可靠性
• 62毫米高产量生产线的生产

• 通过碳化硅扩展成熟的62毫米封装的产品，以满足快速开关要求和低损耗的应用。
  
• 电流密度最高，防潮性能强

• 储能系统
  
• 电动汽车充电
• 光伏逆变器
• UPS

文章来源：英飞凌工业半导体