A：有5个因素决定Si和SiC的材料在电力电子器件上的性能表现，分别是带隙、击穿场强、电子迁移率、电子漂移速率和热传导系数。

■ 宽禁带可以使器件在更高的温度下工作；

■ 10倍的耐压可以实现在同样厚度下更高的耐压能力；

■ 更快的电子漂移速率支持更高的工作频率和更小的开通损耗；

■ 3倍的热传导系数能带来更好的散热能力。这是Si和SiC材料特性的主要区别。

A：IGBT在MOSFET的漏极侧增加了高掺杂的P层，从而实现了MOSFET的电压型栅极控制，同时实现在同等电压和电流下更低的导通压降。

但是SiC比Si的耐压强，所以SiC MOSFET厚度可以做薄，实现损耗的降低。

A：相对于Si，SiC的栅极氧化层挑战性更大，它的外在缺陷密度比Si高出3-4个数量级，它的可靠性决定了SiC的产品质量。相比于平面结构，垂直结构的栅极氧化层可以做的更厚，可以更有效的提升栅极氧化层的可靠性。

A：首先，在驱动电压上，Si IGBT一般采用-7V~15V的驱动电压，而SiC一般为-5V~18V，部分厂商的负压会到-2V，这主要是因为负压会影响栅极的可靠性，而18V的正压能有效降低导通压降。

其次，在短路上，Si IGBT和SiC MOSFET的短路失效机理不一样，SiC MOSFET的短路能力弱于Si IGBT，所以需要更低的DESAT检测电压以实现快速短路检测，同时短路时间也会更短。

A：MOSFET是阻抗特性，而IGBT导通有个二极管压降，所以在小电流情况下SiC MOSFET的导通损耗比Si IGBT的导通损耗小；

同时SiC MOSFET的开通速度比Si IGBT的快，所以开关损耗也小。这样综合下来，SiC MOSFET在小电流下比Si IGBT的损耗小。

A：得益于750V IGBT EDT3和第二代SiC MOSFET技术的良好匹配，英飞凌在第二代HP Drive封装上实现了单驱动的fusion模块，实现了在小电流下主要由SiC MOSFET工作，在大电流情况下辅以IGBT工作，这样在只需要30% SiC用量的情况下就实现了75%的边际效率提升。

文章来源：英飞凌官微