May . 2025
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Q-DPAK封装的CoolSiC™ JFET G1
为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。
新系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，使其成为先进固态保护与配电系统的理想之选。凭借强大的短路能力、线性模式下的热稳定性以及精确的过压控制，CoolSiC™ JFET可在各种工业和汽车应用中实现可靠且高效的系统性能，包括固态断路器（SSCB）、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器、工业安全继电器以及汽车电池隔离开关等。
“市场需要更加智能、快速且可靠的配电系统，英飞凌将通过CoolSiC™ JFET满足这一日益增长的需求。这项以应用为导向的功率半导体技术，专为赋能客户应对这一快速发展领域中的复杂挑战而设计，为其提供所需的关键技术工具。我们自豪地推出具备业界领先的导通电阻（RDS(ON)）的产品，重新定义了碳化硅（SiC）性能标杆，并进一步巩固了英飞凌在宽禁带半导体技术领域的领导地位。”
第一代CoolSiC™ JFET拥有最低值为1.5mΩ（750 VBDss）/2.3mΩ（1200 VBDss）的超低RDS(ON)，能够大幅减少导通损耗。沟道经过优化过的SiC JFET在短路和雪崩故障条件下具有高度的可靠性。该产品采用Q-DPAK顶部散热封装，便于并联，并具备可扩展的电流处理能力，能够为紧凑型高功率系统提供灵活的布局和集成选项。其在热应力、过载和故障条件下拥有可预测的开关能力，能够在连续运行中长期保持极高的可靠性。
为应对严苛应用环境中的散热和机械问题，CoolSiC™ JFET采用英飞凌先进的.XT互连技术与扩散焊接工艺，从而显著降低了器件在工业电力系统中常见的脉冲与循环负载下的瞬态热阻抗，并大幅提升了其可靠性。该器件基于固态功率开关的实际工况测试和验证，并采用符合行业标准的Q-DPAK封装，可在工业与汽车应用中实现快速、无缝的设计集成。