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Nov . 2024
英飞凌新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封装
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CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-4 4引脚封装，以第1代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效、紧凑和可靠解决方案。CoolSiC™ MOSFET第2代在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的系统设计。交流-直流、直流-直流和直流-交流电路及其组合。
产品型号：
■ IMW65R007M2H
■ IMZA65R007M2H
产品特点
- 优异的性能指标（FOM）
- 个位数RDS(on）
- 坚固耐用，整体质量高
- 灵活的驱动电压范围
- 支持单电源驱动，VGS（off）=0
- 避免误开通
- .XT技术改进封装互联
应用价值
- 节省物料清单
- 最大限度地提高单位成本的系统性能
- 最高可靠性
- 实现最高效率和功率密度
- 易于使用
- 与现有供应商完全兼容
- 允许无需风扇或无散热器设计
竞争优势
- 开关损耗极低
- 标杆性栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
- 栅极关断电压为0V，可抵御寄生导通
- 驱动电压灵活，与正负电源驱动兼容
- 用于硬换流的坚固体二极管
- .XT互联技术可实现同类最佳的散热性能
竞争优势
IMW65R007M2H
IMZA65R007M2H
- 开关电源(SMPS)
- 光伏逆变器
- 储能系统
- UPS
- 电动汽车充电
- 电机驱动
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文章来源：英飞凌工业半导体