英飞凌科技推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48 V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。

与上一代产品相比，英飞凌IAUCN08S7N013的RDS(on)降低了50%以上，最高不超过1.3 mΩ，达到目前业内的领先水平。该产品以5 x 6 mm² 封装实现了更小的传导损耗、超强的开关性能和更高的功率密度等优点。此外，IAUCN08S7N013 还具有封装电阻和电感低以及抗雪崩电流能力强的特点。该半导体器件在汽车应用方面已取得 AEC-Q101标准以上的认证。

供货情况

IAUCN08S7N013 现已量产并上市。

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英飞凌科技推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计，并更大程度地降低未来汽车电源设计的冷却要求和系统成本。因此，SSO10T TSC适用于电动助力转向（EPS）、电子机械制动（EMB）、配电、无刷直流驱动器（BLDC）、安全开关、反向电池和DCDC转换器等应用。

SSO10T TSC的占板面积为5 x 7 mm²，并且基于已确立的行业标准 SSO8（5 x 6 mm²的坚固外壳）。但由于采用了顶部冷却，SSO10 TSC的性能比标准SSO8高出 20%以上，最高可高出50%（具体取决于所使用的热界面（TIM）材料和TIM的厚度）。SSO10T TSC封装被JEDEC列为开放市场产品，能够与开放市场第二供应商的产品进行广泛兼容。因此，该封装可作为未来顶部冷却标准快速、轻松地推出。

SSO10T半导体封装能够实现高度紧凑的PCB设计，减少系统占用空间。它还通过消除通孔降低了冷却设计的成本，进而减少了整体系统成本和设计工作量。同时，该封装还提供高功率密度和高效率，从而支持面向未来的可持续汽车的发展。

供货情况

首批采用SSO10T的40 V汽车MOSFET产品现已上市,分别是：IAUCN04S6N007T；IAUCN04S6N009T；IAUCN04S6N013T；AUCN04S6N017T。

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文章来源：英飞凌官微