英飞凌采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

May . 2025

英飞凌新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

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英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET单管，专为各种工业应用开发，包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能，SSCB，人工智能，不间断电源和CAV等。

顶部散热Q-DPAK具有出色的散热性能，更易于组装，从而降低了客户的系统成本。与底部散热解决方案相比，顶部散热器件可实现更优化的PCB布局，从而减少寄生元件和寄生电感的影响。同时还能增强散热能力。

■ IMCQ120R026M2H

■ IMCQ120R034M2H

■ IMCQ120R040M2H

■ IMCQ120R053M2H

■ IMCQ120R078M2H

■ SMD顶部散热封装

■ 杂散电感低

■ CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技术具有优化的开关性能和FOM因子

■ .XT扩散焊

■ 最低RDS(on)

■ 封装材料CTI>600

■ 爬电距离>4.8mm

■ 耐湿性

■ 雪崩保护、短路保护和寄生导通PTO保护

■ 更高的功率密度

■ 实现自动装配

■ 不需要太复杂的设计

■ 与底部散热封装相比，具有出色的热性能

■ 改善系统功率损耗

■ 电压有效值950V，污染度为2

■ 可靠性高

■ 降低TCO成本或BOM成本

■ 电动汽车充电

■ 太阳能

■ UPS

■ SSCB

■ 工业驱动器

■ 人工智能

■ CAV

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