“ROHM拥有从晶圆制造到封装的全部生产设备，并拥有非常先进的制造技术，很高兴ROHM将部分生产外包给我们。我们从2017年开始与ROHM进行技术交流，目前正在继续探索更深合作的可能性。ATX在GaN器件后道工序制造方面的实际业绩和技术实力得到ROHM的认可，从而促成了本次合作。双方还计划针对ROHM目前正在开发的车载GaN器件也开展合作，未来也会继续加深双方的合作伙伴关系，以促进各领域的节能，为实现可持续发展的社会做出贡献。”

“非常高兴ROHM 的TOLL 封装650V GaN HEMT能够以令人满意的性能投入量产。ROHM不仅提供GaN器件，还提供其与融入自身模拟技术优势的IC等元器件相结合的电源解决方案，而且还会再将这些设计过程中积累的专业知识和理念应用到元器件的设计中。通过与ATX等技术实力雄厚的OSAT合作，ROHM不仅能够跟上快速增长的GaN市场的步伐，同时还能不断向市场推出融入ROHM优势的产品。未来，我们将继续通过提高GaN器件的性能，促进各种应用产品的小型化和效率提升，为丰富人们的生活贡献力量。”

适用于服务器、AC适配器（USB充电器）、通信基站电源、工业设备电源、PV逆变器、ESS（Energy Storage System / 储能系统）等输出功率500W～1kW级的广泛电源系统。

ATX位于中国山东省威海市，是从事功率元器件的组装和测试的OSAT企业。公司可以生产MOSFET、IGBT、SiC、GaN等50多种封装，年产能超过57亿枚。目前产品已被广泛应用于工业设备、车载设备、可再生能源（太阳能发电等）、消费电子等领域，尤其是在电动汽车控制领域，在国际品牌市场拥有很高的市场份额。

ATX与全球排名前十的功率元器件企业建立了长期且紧密的合作关系，是一家拥有自主知识产权以及基于这些知识产权的核心技术的、下一代半导体元器件开发方面的先进企业。

如需了解更多信息，请访问ATX官网：http://www.atxwh.com/

*1) GaN HEMT

GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si（硅）相比，具有更优异的物理性能，目前，因其具有出色的高频特性，越来越多的应用开始采用这种材料。

HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。

*2) RDS（ON）×Qoss

评估元器件性能的指标，Qoss是指从输出端看的漏极源极间的总电荷量。另外，RDS（ON）（导通电阻）是使MOSFET启动（导通）时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗（电力损耗）越少。这两者相乘得到的值越低，开关工作效率越高，开关损耗越少。