IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路电流能力的应用，例如马达驱动。该系列可实现更高的功率输出以及更高的功率密度，无需重新设计散热器，缩短设计周期和降低设计成本。

H7采用最新型微沟槽栅技术，通过优化元胞结构，极大程度上降低了器件的导通损耗和开关损耗。650V H7芯片开关频率最高可达100kHz，1200V H7芯片最高开关频率可达40kHz，适合追求高效率、低损耗的各种应用。H7最大电流140A为市场首发，而英飞凌上一代1200V高速单管Highspeed3 H3的最大电流规格仅为75A。

IGBT7单管系列部分产品采用新的TO-247-3-HCC封装，增加了爬电距离和电气间隙。

非对称TO-247-4p封装IKZA系列，降低了辅助发射极和栅极引脚的宽度，避免焊接时连锡的现象，使安装更容易，可靠性更高。

IGBT7单管全系列（T7,S7,H7）在芯片工艺、封装各方面做了优化，具有出色的防潮性能以及抗宇宙射线能力，可在恶劣环境中可靠运行。该器件通过了JEDEC 47/20/22的相关测试，特别是HV-H3TRB，符合工业应用标准，因此非常适用于光伏、储能、充电桩等户外的场景应用。

未来英飞凌科技将持续产品创新与技术优化，以客户为中心，为客户创造更大价值。