TLE4973利用片内的差分霍尔来感知芯片外电流产生的磁场实现测量电流的目的。

其中集成导体式产品（PG-TISON-8封装）电流流经芯片内部，优点是整个传感器在封装完成之后进行调校，所以精度较高，但是受制于内部导体的阻抗，所以可测电流有效值一般低于100A。英飞凌该封装的产品达到了0.22mΩ的导通阻抗，处于业内领先水平。前文曾有更为详细的对比。

外置导体的优势是待测电流不流经芯片本体，因此不会在芯片内造成热累积，所以可测电流范围可以达到2KA以上，相较于使用磁芯进行聚磁的电流传感器模块来说，这种方案在成本和体积上都更有优势，目前正受到越来越多的用户青睐。TLE4973- xE35主要采用PG-VSON-6和PG-TDSO-16两种封装。PG-VSON-6因为体积较小，更适合于铜排载流的场合，PG-TDSO-16则推荐应用于PCB载流。

TLE4973目前一共使用到的3种封装形式总结如下图：

用户仅需采用一个型号即可以粗调实现下面9种灵敏度，之后可以再在粗调基础上再实现±15%的灵敏度精调，从而减少用户管理的型号种类。

TLE4973后缀为S0001的产品可以配置为单端输出、半差分输出、全差分输出模式，采用差分输出模式在输出信号PCB走线较长时可提高抗干扰能力，同时可提高测量精度。

1. 芯片温度实时获取
   
2. 过流阈值点设置，过流反应时间设置，过流消抖时间设置
3. 比例输出Radiometric功能配置
4. 诊断功能：对主模拟路径（灵敏度）自检和OCD模拟路径自检。

简单来说平面S-Bend方案相较于平面Straight方案的阻抗上升大，但是crosstalk（相间互扰）较小；相较平面方案，垂直安装方案对芯片相对位置变化敏感性更低。具体可在我司官网进行相关误差评估。

该模块使用了英飞凌的下一代芯片技术 EDT3（SI IGBT）和 CoolSiC™ G2 MOSFET ,实现在 750 V 和1200 V 电压等级内达到 300 kW 的功率。其PIN脚的铜排在结构上进行了优化，可方便地嵌入内置TLE4973-xE35芯片的Swoboda电流传感器模块，覆盖从500A -2500A 量程的所有测量需求。用户仅需要对该模块进行配置后即可使用，无需进行结构设计和仿真。

Swoboda模块的频率响应图如下，可知带宽达到100Khz以上，因此可完全覆盖电驱应用所需的采样频率。

TLE4973根据不同封装目前可以提供5款评估板，具体介绍如下表：

利用与编程板配套的软件可以方便地对片内的EEPROM或寄存器进行访问，也可以实现数据记录仪的功能，对温升、电流等进行多点采集记录，进而进行评估相关系统指标。