高压(HV)氮化镓(GaN)晶体管的快速开关能力给PCB的布局带来了挑战。本文通过解释几个重要概念,帮助用户了解PCB的布局挑战,也将探讨帮助用户优化布局、实现最佳的整体电气性能和热性能的策略。
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自从40多年前,第一款开关电源问世以来,PCB的布局就一直是电力电子设计中不可或缺的一环。无论采用哪种晶体管技术,我们必须理解和管理PCB布局产生的寄生阻抗,确保电路正确、可靠地运行,而且不会引起不必要的电磁干扰(EMI)。
尽管现代的宽禁带功率半导体不像早期的硅技术那样,存在严重的反向恢复问题,但其较快的开关转换,会导致其换向dv/dt和di/dt比前代硅技术更加极端。应用说明对PCB布局提供的建议通常是“尽量减小寄生电感”,但实现这一点的最佳方法并不总是清晰明确。此外,并非所有导电路径都需要有尽可能低的电感:例如,与电感器的互连——显然该路径中已经存在电感。
当然,尽可能降低所有互连电感,并同时消除PCB上的所有节点到节点的电容是不可能的。因此,成功的PCB布局的关键在于,理解在开关电子器件中,哪些地方的阻抗是真正重要的,以及如何减轻这种不可避免的阻抗带来的不良后果。
另一个复杂因素是,PCB布局不仅涉及电气互连的优化,通常还需要热路径,后者与电气优化的目标相冲突。即使是像散热片这样的机械结构,在应用于PCB并仅用薄薄的热界面材料(TIM)隔开时,也会表现得像PCB组件的附加电气平面,并与电路的开关节点相互作用。