21

Feb . 2025

英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC™ MOSFET 650V G2,实现更高的功率密度

分享至

电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新,英飞凌正在扩展其CoolSiC™ MOSFET 650V单管产品组合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封装的两个全新产品系列。


这两个产品系列采用顶部和底部冷却并基于CoolSiC™ Generation 2(G2)技术,其性能、可靠性和易用性均有显著提高。它们专门用于中高功率开关模式电源(SMPS)开发,包括AI服务器、可再生能源、充电桩、电动交通工具和人形机器人、电视机、驱动器以及固态断路器。


TOLL封装具有出色的板载热循环(TCoB)能力,可通过减少印刷电路板(PCB)占板面积实现紧凑的系统设计。在用于SMPS时,它还能减少系统级制造成本。TOLL封装现在适用于更多目标应用,使PCB设计者能够进一步降低成本并更好地满足市场需求。


Q-DPAK封装的推出补充了英飞凌正在开发的新型顶部冷却(TSC)产品,包括CoolMOS™ 8、CoolSiC™、CoolGaN™和OptiMOS™。TSC产品使客户能够以低成本实现出色的稳健性以及更大的功率密度和系统效率,还能将直接散热率提高至95%,通过实现PCB的双面使用更好地管理空间和减少寄生效应。

供货情况

采用TOLL和Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 650V G2现已上市,前者的RDS(on)值为10至60mΩ,后者的RDS(on)值为 7、10、15和20mΩ。

点击此处,了解更多信息!


文章来源:英飞凌官微

半导体组件问询单
如对本公司产品有任何问题(产品报价、技术咨询、产品文件、样品索取、合作代理等),都可通过咨询表单和我们联络,将有专人回复。
隐私权暨个人资料保护声明

STEP

01
!

有标示 必填栏位,请确实填写,谢谢

咨询需求
市场应用

咨询商品

备注内容

下一步,联系资料填写

STEP

02
!

有标示 必填栏位,请确实填写,谢谢

公司名称
所属部门
联络人
职称
联络电话
邮箱
联络地址
交货地址
是否为贸易商
验证码
订阅电子报
!

有标示 * 必填栏位,请确实填写,谢谢。

公司名称
所属部门
姓名
职称
联系电话
选择电子报语言
邮箱
验证码