2024年，宽禁带半导体产业仍然保持着快速成长态势，SiC产业在6英寸产能的大幅扩张下成本快速下降，但受到电动汽车市场放缓和工业需求走弱，年成长幅度较过去几年有所放缓，GaN则在消费类市场加速渗透，年成长幅度持续走高。展望2025年，SiC产业将正式进入8英寸产能转换阶段，同时在下游市场复苏状况下整年有望实现更强劲的增长，GaN则将在越来越多非消费类应用中受到欢迎，特别是汽车、数据中心、机器人，进而推动产业维持高速成长。

在宽禁带半导体产业快速成长的当下，英飞凌以其在硅、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）技术领域的全面布局，持续引领行业创新，为AI服务器、光储、新能源汽车等低碳化趋势下的关键行业提供了高性能的功率半导体解决方案，推动了行业的绿色转型和可持续发展。

在AI服务器领域，随着数据量的爆炸性增长，对高效计算能力的需求日益迫切。英飞凌因应挑战，推出了针对AI数据中心的高能效电源装置（PSU）产品路线图，创新地将硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）三种先进半导体材料集成于单一模块之中，为数据中心和AI生态系统提供了卓越的性能、效率和可靠性。不仅有效减少功耗和二氧化碳排放，还能降低数据中心总体运营成本，实现经济效益与环境责任的双重目标。英飞凌的这一举措，不仅推动了数据中心能源效率的革命，也为AI和高性能计算领域的发展提供了强有力的支持。

英飞凌的技术创新不仅限于产品层面，在制造工艺上也不断突破。2024年，公司率先开发出全球首项300mm氮化镓功率半导体技术，成为全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。相较于200mm晶圆，300mm晶圆芯片生产因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了2.3倍，极大提高了生产效率。此外，英飞凌推出的全球最薄20μm硅功率晶圆，与传统硅晶圆解决方案相比，将基板电阻降低50%，从而使功率系统中的功率损耗减少15%以上，标志着英飞凌在节能功率解决方案领域迈出了重要一步。

文章来源：英飞凌官微