上回书(英飞凌芯片简史)说到，IGBT自面世以来，历经数代技术更迭，标志性的技术包括平面栅+NPT结构的IGBT2，沟槽栅+场截止结构的IGBT3和IGBT4，表面覆铜及铜绑定线的IGBT5等。现今，英飞凌IGBT芯片的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽（micro pattern trench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现极低的导通压降和优化的开关性能。

IGBT7从2019年问世至今，从首发的T7，到成为拥有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。这几大系列之间，究竟有何区别？它们各自的适用领域又都在哪里？今天这篇文章就带大家一起来解析一下。

首先，在英飞凌已经商业化的IGBT7产品中，不同的IGBT7系列分布在不同的电压等级中：

■ 650V:T7,H7

■ 1200V:S7,H7,T7,E7,P7

■ 1700V:E7,P7

■ 2300V:E7

在同一电压级中，以1200V为例，我们可以按开关速度来进行排序，H7>S7>T7>E7>P7

■ H7是高速芯片，面向开关频率较高的光伏、充电桩等应用，Vcesat 1.7V；

■ S7是快速芯片，能够实现导通损耗与开关速度的最佳平衡，Vcesat 1.65V；

■ T7芯片小功率单管和模块，主要面向电机驱动应用，用在Easy,Econo等封装，Vcesat 1.55V；

■ E7是芯片是为中功率模块产品开发，导通压降1.5V，用于EconoDUAL™,62mm等封装中；

■ P7是芯片是为大功率模块产品开发，导通压降 1.27V，用于PrimPACK™模块中；

下面，我们按单管和模块两个系列，从实用的角度阐述一下各类产品的特性。

• H7芯片扩充了Easy系列在1000VDC系统中的产品组合，可以实现高开关频率应用。

• PrimePACK™封装的1200V P7和2300V E7目前分别都只有一款模块，FF2400RB12IP7和FF1800R23IE7。这两个模块设计的目的是构建MW级1500VDC逆变器，这两个模块可以构成T字型三电平拓扑，FF1800R23IE7作为竖管，承担1500V母线电压，FF2400RB12IP7是共集电极拓扑设计，作为NPC2的横管使用。一个FF2400RB12IP7搭配两个FF1800R23IE7并联模块的方式，最高可实现1.6MW的输出功率（典型风冷条件）。

IGBT不论单管和模块都需要通过多项可靠性测试以保证其长期使用稳定性，与电性能相关的主要有HTGB（高温栅极反偏测试），HTRB（高温反偏测试），H3HTRB(高温高湿反偏测试)，HV-H3TRB(高压高温高湿反偏测试)等。

高温高湿测试H3TRB的测试条件是温度Ta=85℃,湿度RH=85%,VCE=80V，而HV-H3TRB在保持温度和湿度双85的条件下，将CE之间偏置电压从80V提高到了80%的额定电压，比如1200V的器件，测试HV-H3TRB时CE之间施加电压Vstress 960V。测试电压的大幅提升对于IGBT无疑是更严峻的考验，而IGBT7通过优化设计，通过了1000小时的HV-H3TRB测试，显示出对高压及潮湿环境的卓越适应能力。

IGBT7作为最先进IGBT技术的代表，从最初在电机驱动应用初试身手，到现在光伏、充电、储能能领域全面开花，在长期的应用中，展现出优异的性能和无穷的潜力，是电力电子系统迈向更高集成度、更高功率密度的重要推动力。未来IGBT7还会有推出什么样的新系列？IGBT8还会远吗？我们拭目以待吧！

文章来源：英飞凌工业半导体