DDB2U60N12W3RF_C39 EasyBRIDGE™为1200V、60A整流模块，采用沟槽栅场终止技术IGBT7和CoolSiC™肖特基二极管G5 1200V芯片，带NTC和PressFIT压接针脚技术。

DDB2U60N07W1RF_B58 EasyBRIDGE™为650V、60A整流模块，采用沟槽栅场终止技术IGBT7和CoolSiC™肖特基二极管G5 1200V，带NTC和PressFIT压接针脚技术。

产品型号：

■ DDB2U60N12W3RF_C39

■ DDB2U60N07W1RF_B58

• 同类最佳封装，高度为12毫米
• 先进的WBG材料
• 模块杂散电感极低
• PressFIT针脚
• 集成NTC温度传感器
• 采用同类最佳的SiC肖特基二极管第5代技术

• 出色的模块效率
• 系统成本优势
• 提高系统效率
• 降低冷却要求
• 实现更高频率
• 提高功率密度
• 紧凑型设计
• 提高性能，实现快速直流充电

• 单个模块中的定制拓扑结构：基于CoolSiC™肖特基二极管的高速整流桥模块，附加功率开关，可实现附加功能和最高的应用灵活性
• 新芯片技术可降低导通和开关损耗，从而提高效率
• 高浪涌电流能力，可用于电网或电池侧

文章来源：英飞凌工业半导体