
采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技术的优势为基础,加快了系统设计的成本优化,实现高效率、紧凑设计和可靠性。
第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进,适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流各种功率变换。
产品型号:
■ IMZC120R012M2H
■ IMZC120R017M2H
■ IMZC120R022M2H
■ IMZC120R026M2H
■ IMZC120R034M2H
■ IMZC120R040M2H
■ IMZC120R053M2H
■ IMZC120R078M2H