CoolSiC™ MOSFET 400V G2将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起，同时改善了系统成本。400V SiC MOSFET可在2电平和3电平硬开关和软开关拓扑中提供出色的功率密度和系统效率。目标应用为人工智能服务器PSU、SMPS、电机控制、可再生能源和储能以及D类放大器中的功率转换。

产品型号：

■ IMBG40R011M2H

■ IMBG40R015M2H

■ IMBG40R025M2H

■ IMBG40R036M2H

■ IMBG40R045M2H

■ IMT40R011M2H

■ IMT40R015M2H

■ IMT40R025M2H

■ IMT40R036M2H

■ IMT40R045M2H

• 与650V SiC MOSFET相比，FOM更好
  
• 低Qfr值的快速换流二极管
• RDS(on)温度系数小
• 栅极阈值电压VGS(th)=4.5V
• 可以单电源驱动VGSoff=0V
• 100%经过雪崩测试
• 开关速度可控性高
• 高dV/dt运行期间的低过冲
• .XT互联技术
• 一流的热性能

• 系统效率高
• 高功率密度设计
• 高设计鲁棒性
• 减少EMI滤波
• 在硬开关拓扑中使用

• 支持采用创新拓扑结构（如3L PFC，ANPC）
• 与HV SiC MOSFET相比，Ron x A降低，FoM提高，RDS(on)与Tj曲线平坦，100°C时增幅最小
• 低Qgd,Qoss fr,Eoss
• 高压摆率控制、线性Coss和低Qfr
• 高栅极驱动阈值电压Vth,typ=4.5V实现0V-18V驱动
• 以及较低的米勒比，以减轻Cgd，Vds/dt引起的寄生导通

文章来源：英飞凌工业半导体