低碳化浪潮下，电气化重构能源脉络，能源转化效率成破局关键。碳化硅作为功率半导体能效革命先锋，正引领能效与设计双重创新。英飞凌深耕碳化硅技术，主张“最值得信赖的技术革命”。 IPAC碳化硅直播季震撼回归！深度拆解技术奥秘，一起解锁碳化硅的无限可能！

• 第一期⏰（5月20日 14:00）：

👉【沟槽栅VS平面栅，谁才是功率器件可靠性战场上的终极王者？】

• 第二期⏰（6月26日 14:00）：

👉【光伏、储能、数据中心“黄金赛道”激战正酣，如何运用CoolSiC™技术精准卡位，领跑行业新未来？】

• 第三期⏰（7月22日 14:00）：

👉【CoolSiC™ MOSFET驱动设计难题如何破局？1200V CoolSiC™ G2实战案例又藏着哪些制胜秘诀？】

- 平面栅和沟槽栅，简约设计与繁复工艺的碰撞，单元均匀性与底部电场聚焦的较量，沟槽栅缘何在可靠性领域持续“占鳌”，成为行业标杆？

- 高温下沟槽栅 SiC 电阻大幅漂移，真的会成为其可靠性路上的“绊脚石”？