自举建立过程是建立在下管导通期间，这时候半桥电路已经开始工作了，但上管平均自举电压的建立是需要一个过程，图3显示了系统在自举电容器完全充电至15V（D=100%）时的阶跃响应。从图中可以看出，平均自举电压VBS的行为类似于单阶系统，其时间常数由下列公式计算得出。

通过占空比与系统阶跃响应之间的关系，我们可以了解到，占空比越小，时间常数(τ)越大，因此响应越慢，建立平均电压时间长，如红色曲线，而占空比越高，响应越快，达到平均电压时间短，如粉红曲线。

从上面公式还可以看出，达到平均电压的时间与电容大小也有关，电容小则时间短，可以比较粉红色和绿色的平均电压建立过程曲线。

图4中显示了两种占空比：

1. Rboot=220Ω、Cboot=1µF、D=10%，红色曲线；

2. Rboot=220Ω、Cboot=1µF、D=30%，粉红色曲线；

看到占空比是10%时，时间常数是2.2ms，当占空比提高到30%时，时间常数只有733μs.

按照上一篇文章的稳态讨论结论：

QTOT=QG+Ileak*TOFF=QG+Ileak*(1-D)*TS，

QTOT在低占空比时会增加。在这种情况下，就需要采用较大的自举电容器，以控制纹波和增加平均电压时间常数。

由于有自举电阻和电容存在，可以认为其是占空比变化的自适应滤波器。以正弦调制加3次谐波注入的为例，在仿真中，一个基于正弦波基波加上3次谐波调制的PWM信号被送到电路中（TS=50µs，频率=fe）。

图4显示了不同输出频率下的预期（计算值）VBS。占空比用角度表示（等于2πfe，其中fe为输出频率）的函数（正弦+3次谐波），该角度从0°到360°。

系统的不同输出频率也会影响自举电压值，即不同fe得到的VBS电压，基波频率低，自举电压纹波就大。黄色曲线VBS(DC)代表使用前面提到的静态方程时得到的曲线，是最最严酷的工况。

本文的例子是使用三相空间矢量（或三相正弦波+3次谐波）调制的情况。其他类型的调制时的工况需要另外分析。