在全球数据中心加速向高效化、集约化转型的背景下,高频中大功率UPS(不间断电源)市场需求持续攀升,对能效、功率密度及可靠性的要求亦日益严苛。
近日,英飞凌宣布与深圳科士达科技股份有限公司深化合作,通过提供英飞凌1200V CoolSiC™ MOSFET和CoolSiC™二极管、650V CoolSiC™ MOSFET器件以及EiceDRIVER™系列单通道磁隔离驱动器等全套功率半导体解决方案,助力科士达100kVA在线式UPS系统实现关键突破,满足数据中心对高可靠、高能效电源的严苛需求。
作为科士达长期合作伙伴,英飞凌CoolSiC™ MOSFET凭借其卓越性能成为功率密度优化与效率提升的重要驱动力:
■ 支持超高开关频率,实现效率与密度双突破;
■ 更高结温耐受能力,适配严苛运行环境,可靠性全面升级;
■ 减少磁性元件体积,降低系统级设计,实现成本与性能双重优化。
通过采用英飞凌全套产品组合方案,科士达成功将UPS功率密度提升至37.95W/in³,体积缩减39%,全系统在线模式效率超过98%,HECO模式99%,达到业界领先水平,为下一代绿色数据中心提供兼具性能与环保价值的供电解决方案。