氮化镓（GaN）技术在提升功率电子器件性能水平方面起到至关重要的作用。但目前为止，GaN供应商采用的封装类型和尺寸各异，产品十分零散，客户缺乏兼容多种封装的货源。

为了解决这个问题，英飞凌推出采用RQFN 5x6封装的 CoolGaN™ G3 100V (IGD015S10S1) 和采用RQFN 3.3x3.3封装的CoolGaN™ G3 80V (IGE033S08S1) 高性能GaN晶体管。

"这两款新器件兼容行业标准硅MOSFET封装，满足客户对标准化封装、更易处理和加快产品上市速度的需求。"

Antoine Jalabert博士

英飞凌科技中压氮化镓产品线负责人

CoolGaN™ G3 100V晶体管器件将采用5x6 RQFN封装，典型导通电阻为1.1mΩ；CoolGaN™ G3 80V将采用3.3x3.3 RQFN封装，典型电阻为2.3mΩ。这两款晶体管的封装首次让客户可以采取简便的多源采购策略，以及与硅基设计形成互补的布局，而新封装与GaN组合带来的低电阻连接和低寄生效应能够在常见封装中实现高性能晶体管输出。

此外，这种芯片与封装组合拥有更大的暴露表面积和更高的铜密度，使热量得到更好的分布和散发，因此不仅能提高热传导性，还具有很高的热循环稳定性。