650V高速半桥栅极驱动器，具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流，采用DSO-8封装，用于驱动功率MOSFET和IGBT。

产品型号：

2ED2388S06F

• 工作电压（相对于VS）高达+650V
  
• 负VS瞬态抗扰度为100V
• 集成超快、低电阻自举二极管
• 90ns传播延迟
• 最大电源电压为25V

• 集成自举二极管--节省空间，降低BOM成本，更小的PCB，更简单的设计，更低的成本
  
• 电平转移损耗降低50%
• 出色的坚固性和抗噪性，可抵御VS引脚上的瞬态负电压

• 物联网互联智能照明
  
• 家用电器
• LED照明系统设计
• 电机控制和驱动器
• 智能建筑

文章来源：英飞凌工业半导体