该评估板采用半桥配置的英飞凌绝缘硅（SOI）栅极驱动器2ED2106S06F和两个 MOSFET（IPD60R360P7）。该电路板旨在测试栅极驱动器的基本功能和特性。
用户可以测试PWM输入-输出性能、检查传播延迟、电流能力和高开关频率性能。该电路板还可用于进行双脉冲测试。
产品型号：
EVAL-2ED2106
2ED2106S06F评估板
所用器件：
栅极驱动器：2ED2106S06F
MOSFET：IPD60R360P7
05
Mar . 2024
英飞凌新品 | 0.7A 650V集成高压侧和低压侧栅极驱动器2ED2106S06F半桥驱动评估板
分享至
产品特点
- 工作电压高达+650V
- 采用英飞凌SOI技术
- 负压VS瞬态抗扰度为100V
- 集成式低欧姆自举二极管
- 专为自举电路设计
- 最大电源电压为25V
- 欠压锁定(UVLO)功能
- 200ns传播延迟
- VS引脚上的逻辑工作电压最高可达-11V
- -5V输入端的负电压容差
应用价值
- 降低BOM成本并节省空间
- 电平转移损耗降低50%
- 出色的坚固性和抗噪能力
应用领域
- 家用电器
- 电机控制和驱动器
- 开关电源(SMPS)
