英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC™ 1200V和2000V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封装的半桥模块。该封装使SiC MOSFET能够应用于250kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT模块，其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感应电磁炉和功率变换系统等。

增强型M1H芯片技术显著拓宽了栅极电压窗口，即使在高开关频率下，不需任何限制，也能确保栅极应对驱动器和布局引起的感应电压尖峰时的高可靠性。此外，极低的开关损耗和导通损耗可以最大限度地降低散热需求。2000V的电压等级，满足现代系统设计中的高耐压要求。借助英飞凌CoolSiC™芯片技术，变换器的设计可以变得更有效率，单个逆变器的额定功率得以进一步提高，从而降低整体系统成本。

62mm采用铜基板设计和螺母功率端子，该封装是高鲁棒性的结构设计，可提高系统可用性、降低服务成本和减少停机损失。通过强大的温度周次能力和150°C的连续运行结温（Tvjop）实现出色的可靠性。其对称的内部封装设计使得桥臂中上下管具有相同的开关条件。可以选装预涂热界面材料（TIM），进一步提高模块的热性能。