百舸争流， 唯创新方能立于不败之地

绿色能源领域是英飞凌专注耕耘且市场影响巨大的领域，英飞凌的系统方案覆盖了新能源发电、输电、供电的整个能源转换链。

作为零碳技术的创新伙伴，英飞凌凭借在功率半导体领域数十年的经验积累和沉淀，以及对系统和应用的深刻理解，在2023年面向绿色能源和零碳工业应用发布了一系列功率半导体器件和驱动芯片，新的参考设计板和评估板。因篇幅有限，选取几款明星产品快速一览：

2023年，英飞凌重磅发布TRENCHSTOP™ IGBT7单管全系列产品，包括T7，S7，H7三个系列，覆盖了650V和1200V两大电压等级，5种不同的封装，近40多个产品型号，极大地丰富了用户的选择。

得益于IGBT7微沟槽技术，TRENCHSTOP™ IGBT7单管系列极大的优化了开关损耗和导通损耗，相较于市场上的IGBT单管元器件，英飞凌1200V H7产品最大电流达140A，成为业内第一款1200V实现额定电流140A的IGBT分立器件，相较于英飞凌上一代1200V高速单管High Speed H3的75A最大电流规格有了大幅的提升。此外，650V H7单管的电流等级达到150A。这高规格的电流可以减少IGBT并联的数量，对于减小系统尺寸和减轻重量有极大的帮助。该系列还拥有强大的防潮和抗宇宙射线能力，正在成为光伏和储能应用的炙手可热的新星。

2023年上市的CoolSiC™ 1200V MOSFET模块（最大规格1mΩ）和CoolSiC™ 2000V MOSFET模块（最大规格2.6mΩ）系列新添全新工业标准封装产品。采用新推出的增强型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，以及成熟的62mm封装的半桥模块，使SiC MOSFET能够应用于250kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的功率密度已达极限值。而2000V的电压等级，满足现代系统设计中的高耐压要求。借助英飞凌CoolSiC™芯片技术，变换器的设计可以变得更有效率，单个逆变器的额定功率得以进一步提高，从而降低整体系统成本。

作为沟槽栅技术的倡导者和先行者，英飞凌IGBT芯片技术不断创新，引领行业的产品技术不断升级。2023年正式推出搭载1200V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的62mm半桥和共发射极模块产品组合，推出全新电流额定值模块，最大电流规格高达800A。基于新型微沟槽技术，1200V 62mm IGBT7模块系列的静态损耗远远低于搭载IGBT4芯片组的模块，IGBT的振荡行为和可控性也得到了提升。此外，全新功率模块的最大过载结温为175°C。这些特性大大降低了应用中的损耗。系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大的灵活性，还提供更高的功率密度和更优秀的电气性能。

每一个功率器件都需要一个驱动芯片，合适的驱动芯片总能带来事半功倍的效果。2023年推出EiceDRIVER™ F3增强型（1ED332x）系列是一个隔离型栅极驱动器系列。输出电流能力大，+6A/-8.5A的典型峰值输出电流，可用于大功率逆变器和宽禁带器件。具备精确的VCEsat检测（DESAT），带故障输出。退饱和检测后的软关断在驱动IGBT和CoolSiC™能做好短路保护。有源米勒钳位功能使其成为使用SiC MOSFET和TRENCHSTOP™ IGBT7的快速开关单电源设计应用的理想选择。通过UL 1577认证以及IEC 60747-17，适用于伺服驱动器，UPS系统等应用。

文章来源：英飞凌工业半导体